トランジスタ - FET、MOSFET - RF

写真: メーカー部品番号 在庫状況 価格 数量 データシート Packaging Series ProductStatus TransistorType Frequency Gain Voltage-Test CurrentRating(Amps) NoiseFigure Current-Test Power-Output Voltage-Rated
CLF1G0035S-100P

CLF1G0035S-100P

CLF1G0035S-100 - 100W BROADBAND

Ampleon USA Inc.
2,884 -

RFQ

CLF1G0035S-100P

データシート

Bulk * Active - - - - - - - - -
MRFE6VP8600HR5

MRFE6VP8600HR5

LDMOS BROADBAND RF POWER TRANSIS

NXP Semiconductors
640 -

RFQ

Bulk - Obsolete LDMOS (Dual), Common Source 470MHz ~ 860MHz 19.3dB 50 V 20µA - 1.4 A 600W 130 V
MRF6V14300HSR5

MRF6V14300HSR5

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Freescale Semiconductor
387 -

RFQ

MRF6V14300HSR5

データシート

Bulk - Active LDMOS 1.4GHz 18dB 50 V - - 150 mA 330W 100 V
AFV10700HR5

AFV10700HR5

RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-780-4

NXP USA Inc.
2,911 -

RFQ

AFV10700HR5

データシート

Bulk - Active LDMOS (Dual) 1.03GHz ~ 1.09GHz 19.2dB 50 V 1µA - 100 mA 770W 105 V
AFV10700HR5178

AFV10700HR5178

AFV10700HR5 - AIRFAST RF POWER L

NXP Semiconductors
3,862 -

RFQ

AFV10700HR5178

データシート

Bulk * Active - - - - - - - - -
AFV10700HSR5178

AFV10700HSR5178

AFV10700HSR5 - AIRFAST RF POWER

NXP Semiconductors
2,046 -

RFQ

AFV10700HSR5178

データシート

Bulk * Active - - - - - - - - -
MMRF1006HR5

MMRF1006HR5

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Freescale Semiconductor
2,290 -

RFQ

MMRF1006HR5

データシート

Bulk - Active LDMOS 450MHz 20dB 50 V - - 150 mA 1000W 120 V
BLA6H0912-500112

BLA6H0912-500112

BLA6H0912-500 - LDMOS AVIONICS R

NXP USA Inc.
2,264 -

RFQ

BLA6H0912-500112

データシート

Tray - Not For New Designs LDMOS 960MHz ~ 1.22GHz 17dB 50 V 54A - 100 mA 450W 100 V
MWT-7F

MWT-7F

MED POWER GAAS MESFET

Microwave Technology Inc.
2,646 -

RFQ

MWT-7F

データシート

Case - Active MESFET 500MHz ~ 26GHz 8dB 4 V 85mA 2dB @ 12GHz 85 mA 21dBm 6 V
BLF6G10L-260PRN:11

BLF6G10L-260PRN:11

RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A

Ampleon USA Inc.
2,104 -

RFQ

BLF6G10L-260PRN:11

データシート

Tape & Reel (TR) - Obsolete LDMOS (Dual), Common Source 917.5MHz ~ 962.5MHz 22dB 28 V 64A - 1.8 A 40W 65 V
BLF6G10L-260PRN,11

BLF6G10L-260PRN,11

RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A

Ampleon USA Inc.
2,089 -

RFQ

BLF6G10L-260PRN,11

データシート

Tray - Obsolete LDMOS (Dual), Common Source 917.5MHz ~ 962.5MHz 22dB 28 V 64A - 1.8 A 40W 65 V
BLF6G38LS-100,112

BLF6G38LS-100,112

RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502B

Ampleon USA Inc.
2,135 -

RFQ

BLF6G38LS-100,112

データシート

Tray - Obsolete LDMOS 3.4GHz ~ 3.6GHz 13dB 28 V 34A - 1.05 A 18.5W 65 V
BLF404,115

BLF404,115

RF FET NCHA 40V 11.5DB SOT409A

Ampleon USA Inc.
2,407 -

RFQ

BLF404,115

データシート

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel 500MHz 11.5dB 12.5 V 1.5A - 50 mA 4W 40 V
BF1212WR,115

BF1212WR,115

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R

NXP USA Inc.
3,631 -

RFQ

BF1212WR,115

データシート

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Obsolete N-Channel Dual Gate 400MHz 30dB 5 V 30mA 0.9dB 12 mA - 6 V
BLF2425M9LS30U

BLF2425M9LS30U

RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B

Ampleon USA Inc.
2,828 -

RFQ

BLF2425M9LS30U

データシート

Tray - Active LDMOS 2.45GHz 18.5dB 32 V - - 20 mA 30W 65 V
BLF188XRSU

BLF188XRSU

RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B

Ampleon USA Inc.
3,816 -

RFQ

BLF188XRSU

データシート

Tray - Active LDMOS (Dual), Common Source 108MHz 24.4dB 50 V - - 40 mA 1400W 135 V
BLF647PS,112

BLF647PS,112

RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B

Ampleon USA Inc.
2,437 -

RFQ

BLF647PS,112

データシート

Tray - Active LDMOS (Dual), Common Source 1.3GHz 17.5dB 32 V - - 100 mA 200W 65 V
BLF178XR,112

BLF178XR,112

RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A

Ampleon USA Inc.
3,332 -

RFQ

BLF178XR,112

データシート

Tray - Active LDMOS (Dual), Common Source 108MHz 28dB 50 V - - 40 mA 1400W 110 V
BLM8G0710S-15PBGY

BLM8G0710S-15PBGY

RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122

Ampleon USA Inc.
100 -

RFQ

BLM8G0710S-15PBGY

データシート

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Active LDMOS (Dual) 957.5MHz 36.1dB 28 V - - 15 mA 1.5W 65 V
PD57018S-E

PD57018S-E

FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

STMicroelectronics
3,856 -

RFQ

PD57018S-E

データシート

Tube - Active LDMOS 945MHz 16.5dB 28 V 2.5A - 100 mA 18W 65 V
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1500+
1500+ 日平均RFQ
20,000.000
20,000.000 標準製品ユニット
1800+
1800+ 世界中のメーカー
15,000+
15,000+ 在庫倉庫
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