Fairchild Semiconductor FQB4N80TM

部品番号
FQB4N80TM
メーカー
Fairchild Semiconductor
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
パッケージ
D2PAK (TO-263)
データシート
FudongICFQB4N80TM.pdf
説明
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
品質確認:
★★★★★ 5.0/5 FudongIC QCチームによる確認済み

FQB4N80TMの製品情報は、型番、メーカー、パッケージ、在庫状況、調達要件、出荷可否に基づいて確認されています。

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用途

🔍FQB4N80TMはどのような用途に適していますか?

FQB4N80TMは、トランジスタ - FET、MOSFET - シングルカテゴリに属するFairchild Semiconductorの製品です。安定した調達、技術パラメータ確認、在庫確認、価格サポート、BOM照合が必要な電子機器プロジェクトに適しています。

通信・ネットワーク機器

通信モジュール、基地局、ネットワーク機器、産業用データ伝送など、安定した部品供給が重要なプロジェクトに適しています。

車載・制御システム

車載電子機器、制御モジュール、センサーシステム、組み込みプロジェクトなど、パラメータと供給確認が必要な用途に適用できます。

産業オートメーション

産業機器、モーター制御、計測機器、自動化システム、電子アセンブリに利用できます。

データセンター・クラウド基盤

サーバー、データセンター、電源、制御基板、信頼性が求められる電子システムをサポートします。

FudongICはFQB4N80TMの調達をサポートし、在庫確認、価格確認、BOM照合、技術選定を支援します。

FQB4N80TMの見積と技術サポートを依頼する

製品概要

FQB4N80TMは、トランジスタ - FET、MOSFET - シングルカテゴリに属するFairchild Semiconductorの製品です。製品説明: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3。FudongICは、この部品のデータシート確認、在庫確認、価格見積、BOM照合、技術選定をサポートします。

主な特徴

  • 型番: FQB4N80TM
  • メーカー: Fairchild Semiconductor
  • カテゴリ: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
  • パッケージ: D2PAK (TO-263)
  • データシート確認、在庫確認、価格見積をサポート
  • サンプル調達、小ロット試作、大量購入に適しています

用途分野

FQB4N80TMは、通信システム、産業オートメーション、車載電子機器、データセンター、組み込みシステム、電源および制御技術などの電子プロジェクトに使用できます。

調達と技術サポート

FQB4N80TMの現在在庫、数量別価格、納期、代替品、技術資料をお探しの場合は、FudongICへお問い合わせください。用途、パラメータ要件、パッケージ要件、購入数量に基づいて適切な調達提案を提供します。

関連製品

Product details

FQB4N80TM - よくある質問

FQB4N80TMは現在在庫がありますか?

FQB4N80TMはFudongICに現在の在庫情報とともに掲載されています。表示在庫は2512です。電子部品の在庫は頻繁に変動するため、リアルタイムの在庫、価格、納期確認にはRFQを送信してください。

FQB4N80TMの最小注文数量は何ですか?

FQB4N80TMの最小注文数量は1個です。FudongICはサンプル、小ロット注文、大量調達に対応します。

FQB4N80TMは正規品ですか?

FudongICは正規で信頼できる電子部品の供給に注力しています。Fairchild SemiconductorのFQB4N80TMは信頼できる供給ルートを通じて調達されます。必要に応じて品質確認、梱包確認、出荷確認もサポートできます。

FQB4N80TMの通常納期はどのくらいですか?

納期は在庫場所、注文数量、配送先によって異なります。在庫がある場合、DHL、FedEx、UPSなどの国際エクスプレスで迅速に出荷できます。

FQB4N80TMの代替品や互換品はありますか?

用途要件に応じて、FudongICはFQB4N80TMの代替品または互換品の確認をサポートできます。仕様、目標数量、用途情報をお送りください。

画像 FQU1N50TU FQNL1N50BBU FQB17N08TM FQN1N50CBU FQP5N20L
部品番号 FQU1N50TU FQNL1N50BBU FQB17N08TM FQN1N50CBU FQP5N20L
メーカー Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Packaging Bulk Bulk Bulk Bulk Bulk
Series QFET® QFET® QFET® QFET® QFET®
ProductStatus Active Active Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 800 V 800 V 800 V 800 V 800 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.9A (Tc) 3.9A (Tc) 3.9A (Tc) 3.9A (Tc) 3.9A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V 10V 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3.6Ohm @ 1.95A, 10V 3.6Ohm @ 1.95A, 10V 3.6Ohm @ 1.95A, 10V 3.6Ohm @ 1.95A, 10V 3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V ±30V ±30V ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 880 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V 880 pF @ 25 V
FETFeature - - - - -
PowerDissipation(Max) 3.13W (Ta), 130W (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FQB4N80TM 関連情報

以下の部品が含まれています "FQB4N80TM" ISSI、インテグレーテッド・シリコン・ソリューション・インク内 FQB4N80TM.

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