MBRT40035RL.pdfMBRT40035RLの製品情報は、型番、メーカー、パッケージ、在庫状況、調達要件、出荷可否に基づいて確認されています。
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MBRT40035RLは、ダイオード - 整流器 - アレイカテゴリに属するGeneSiC Semiconductorの製品です。安定した調達、技術パラメータ確認、在庫確認、価格サポート、BOM照合が必要な電子機器プロジェクトに適しています。
通信モジュール、基地局、ネットワーク機器、産業用データ伝送など、安定した部品供給が重要なプロジェクトに適しています。
車載電子機器、制御モジュール、センサーシステム、組み込みプロジェクトなど、パラメータと供給確認が必要な用途に適用できます。
産業機器、モーター制御、計測機器、自動化システム、電子アセンブリに利用できます。
サーバー、データセンター、電源、制御基板、信頼性が求められる電子システムをサポートします。
FudongICはMBRT40035RLの調達をサポートし、在庫確認、価格確認、BOM照合、技術選定を支援します。
MBRT40035RLの見積と技術サポートを依頼するMBRT40035RLは、ダイオード - 整流器 - アレイカテゴリに属するGeneSiC Semiconductorの製品です。製品説明: DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3 TOWER。FudongICは、この部品のデータシート確認、在庫確認、価格見積、BOM照合、技術選定をサポートします。
MBRT40035RLは、通信システム、産業オートメーション、車載電子機器、データセンター、組み込みシステム、電源および制御技術などの電子プロジェクトに使用できます。
MBRT40035RLの現在在庫、数量別価格、納期、代替品、技術資料をお探しの場合は、FudongICへお問い合わせください。用途、パラメータ要件、パッケージ要件、購入数量に基づいて適切な調達提案を提供します。
MBRT40035RLはFudongICに現在の在庫情報とともに掲載されています。表示在庫は3621です。電子部品の在庫は頻繁に変動するため、リアルタイムの在庫、価格、納期確認にはRFQを送信してください。
MBRT40035RLの最小注文数量は1個です。FudongICはサンプル、小ロット注文、大量調達に対応します。
FudongICは正規で信頼できる電子部品の供給に注力しています。GeneSiC SemiconductorのMBRT40035RLは信頼できる供給ルートを通じて調達されます。必要に応じて品質確認、梱包確認、出荷確認もサポートできます。
納期は在庫場所、注文数量、配送先によって異なります。在庫がある場合、DHL、FedEx、UPSなどの国際エクスプレスで迅速に出荷できます。
用途要件に応じて、FudongICはMBRT40035RLの代替品または互換品の確認をサポートできます。仕様、目標数量、用途情報をお送りください。
| 画像 | ![]() |
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| 部品番号 | MBR200100CTS | MBR40045CTS | FST83100M | FST83100SM | FST8320M |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| Packaging | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| DiodeConfiguration | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Anode |
| DiodeType | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 35 V | 35 V | 35 V | 35 V | 35 V |
| Current-AverageRectified(Io)(perDiode) | 200A | 200A | 200A | 200A | 200A |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 600 mV @ 200 A | 600 mV @ 200 A | 600 mV @ 200 A | 600 mV @ 200 A | 600 mV @ 200 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | - | - | - | - | - |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 3 mA @ 35 V | 3 mA @ 35 V | 3 mA @ 35 V | 3 mA @ 35 V | 3 mA @ 35 V |
| OperatingTemperature-Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| MountingType | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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