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Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB

Name: SCT2H12NYTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT2H12NYTB
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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部品番号: SCT2H12NYTB

メーカー: Rohm Semiconductor

カテゴリ:: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

パッケージ: TO-268

データシート: SCT2H12NYTB.pdf

説明: SICFET N-CH 1700V 4A TO268

品質確認:: ★★★★★ 5.0/5 FudongIC QCチームによる確認済み

SCT2H12NYTBの製品情報は、型番、メーカー、パッケージ、在庫状況、調達要件、出荷可否に基づいて確認されています。

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用途

🔍SCT2H12NYTBはどのような用途に適していますか？

SCT2H12NYTBは、トランジスタ - FET、MOSFET - シングルカテゴリに属するRohm Semiconductorの製品です。安定した調達、技術パラメータ確認、在庫確認、価格サポート、BOM照合が必要な電子機器プロジェクトに適しています。

通信・ネットワーク機器

通信モジュール、基地局、ネットワーク機器、産業用データ伝送など、安定した部品供給が重要なプロジェクトに適しています。

車載・制御システム

車載電子機器、制御モジュール、センサーシステム、組み込みプロジェクトなど、パラメータと供給確認が必要な用途に適用できます。

産業オートメーション

産業機器、モーター制御、計測機器、自動化システム、電子アセンブリに利用できます。

データセンター・クラウド基盤

サーバー、データセンター、電源、制御基板、信頼性が求められる電子システムをサポートします。

FudongICはSCT2H12NYTBの調達をサポートし、在庫確認、価格確認、BOM照合、技術選定を支援します。

SCT2H12NYTBの見積と技術サポートを依頼する

製品概要

SCT2H12NYTBは、トランジスタ - FET、MOSFET - シングルカテゴリに属するRohm Semiconductorの製品です。製品説明: SICFET N-CH 1700V 4A TO268。FudongICは、この部品のデータシート確認、在庫確認、価格見積、BOM照合、技術選定をサポートします。

主な特徴

型番: SCT2H12NYTB
メーカー: Rohm Semiconductor
カテゴリ: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
パッケージ: TO-268
データシート確認、在庫確認、価格見積をサポート
サンプル調達、小ロット試作、大量購入に適しています

用途分野

SCT2H12NYTBは、通信システム、産業オートメーション、車載電子機器、データセンター、組み込みシステム、電源および制御技術などの電子プロジェクトに使用できます。

調達と技術サポート

SCT2H12NYTBの現在在庫、数量別価格、納期、代替品、技術資料をお探しの場合は、FudongICへお問い合わせください。用途、パラメータ要件、パッケージ要件、購入数量に基づいて適切な調達提案を提供します。

Product details

Packaging:
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
1700 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
18V
RdsOn(Max)@IdVgs:
1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 410µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
14 nC @ 18 V
Vgs(Max):
+22V, -6V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
184 pF @ 800 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
44W (Tc)
OperatingTemperature:
175°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
データシート
SCT2H12NYTB.pdf

SCT2H12NYTB - よくある質問

SCT2H12NYTBは現在在庫がありますか？▼

SCT2H12NYTBはFudongICに現在の在庫情報とともに掲載されています。表示在庫は2975です。電子部品の在庫は頻繁に変動するため、リアルタイムの在庫、価格、納期確認にはRFQを送信してください。

SCT2H12NYTBの最小注文数量は何ですか？▼

SCT2H12NYTBの最小注文数量は1個です。FudongICはサンプル、小ロット注文、大量調達に対応します。

SCT2H12NYTBは正規品ですか？▼

FudongICは正規で信頼できる電子部品の供給に注力しています。Rohm SemiconductorのSCT2H12NYTBは信頼できる供給ルートを通じて調達されます。必要に応じて品質確認、梱包確認、出荷確認もサポートできます。

SCT2H12NYTBの通常納期はどのくらいですか？▼

納期は在庫場所、注文数量、配送先によって異なります。在庫がある場合、DHL、FedEx、UPSなどの国際エクスプレスで迅速に出荷できます。

SCT2H12NYTBの代替品や互換品はありますか？▼

用途要件に応じて、FudongICはSCT2H12NYTBの代替品または互換品の確認をサポートできます。仕様、目標数量、用途情報をお送りください。

画像
部品番号	R8002ANJGTL	R8002KNXC7G	RCJ331N25TL	RCJ451N20TL	RX3G07CGNC16
メーカー	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
Packaging	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	-	-	-	-	-
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)	SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	1700 V	1700 V	1700 V	1700 V	1700 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	4A (Tc)	4A (Tc)	4A (Tc)	4A (Tc)	4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	18V	18V	18V	18V	18V
RdsOn(Max)@IdVgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V	1.5Ohm @ 1.1A, 18V	1.5Ohm @ 1.1A, 18V	1.5Ohm @ 1.1A, 18V	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 410µA	4V @ 410µA	4V @ 410µA	4V @ 410µA	4V @ 410µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	14 nC @ 18 V	14 nC @ 18 V	14 nC @ 18 V	14 nC @ 18 V	14 nC @ 18 V
Vgs(Max)	+22V, -6V	+22V, -6V	+22V, -6V	+22V, -6V	+22V, -6V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	184 pF @ 800 V	184 pF @ 800 V	184 pF @ 800 V	184 pF @ 800 V	184 pF @ 800 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	44W (Tc)	44W (Tc)	44W (Tc)	44W (Tc)	44W (Tc)
OperatingTemperature	175°C (TJ)	175°C (TJ)	175°C (TJ)	175°C (TJ)	175°C (TJ)
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount