UJ4C075018K3S.pdf
UJ4C075018K3Sの製品情報は、型番、メーカー、パッケージ、在庫状況、調達要件、出荷可否に基づいて確認されています。
単価$0
合計価格$0


UJ4C075018K3Sは、トランジスタ - FET、MOSFET - シングルカテゴリに属するUnitedSiCの製品です。安定した調達、技術パラメータ確認、在庫確認、価格サポート、BOM照合が必要な電子機器プロジェクトに適しています。
通信モジュール、基地局、ネットワーク機器、産業用データ伝送など、安定した部品供給が重要なプロジェクトに適しています。
車載電子機器、制御モジュール、センサーシステム、組み込みプロジェクトなど、パラメータと供給確認が必要な用途に適用できます。
産業機器、モーター制御、計測機器、自動化システム、電子アセンブリに利用できます。
サーバー、データセンター、電源、制御基板、信頼性が求められる電子システムをサポートします。
FudongICはUJ4C075018K3Sの調達をサポートし、在庫確認、価格確認、BOM照合、技術選定を支援します。
UJ4C075018K3Sの見積と技術サポートを依頼するUJ4C075018K3Sは、トランジスタ - FET、MOSFET - シングルカテゴリに属するUnitedSiCの製品です。製品説明: SICFET N-CH 750V 81A TO247-3。FudongICは、この部品のデータシート確認、在庫確認、価格見積、BOM照合、技術選定をサポートします。
UJ4C075018K3Sは、通信システム、産業オートメーション、車載電子機器、データセンター、組み込みシステム、電源および制御技術などの電子プロジェクトに使用できます。
UJ4C075018K3Sの現在在庫、数量別価格、納期、代替品、技術資料をお探しの場合は、FudongICへお問い合わせください。用途、パラメータ要件、パッケージ要件、購入数量に基づいて適切な調達提案を提供します。
UJ4C075018K3SはFudongICに現在の在庫情報とともに掲載されています。表示在庫は7535です。電子部品の在庫は頻繁に変動するため、リアルタイムの在庫、価格、納期確認にはRFQを送信してください。
UJ4C075018K3Sの最小注文数量は1個です。FudongICはサンプル、小ロット注文、大量調達に対応します。
FudongICは正規で信頼できる電子部品の供給に注力しています。UnitedSiCのUJ4C075018K3Sは信頼できる供給ルートを通じて調達されます。必要に応じて品質確認、梱包確認、出荷確認もサポートできます。
納期は在庫場所、注文数量、配送先によって異なります。在庫がある場合、DHL、FedEx、UPSなどの国際エクスプレスで迅速に出荷できます。
用途要件に応じて、FudongICはUJ4C075018K3Sの代替品または互換品の確認をサポートできます。仕様、目標数量、用途情報をお送りください。
| 画像 | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
| 部品番号 | UJ4C075060B7S | UJ4C075033B7S | UJ4SC075009B7S | UF3SC065030B7S | UF3C065040K4S |
| メーカー | UnitedSiC | UnitedSiC | UnitedSiC | UnitedSiC | UnitedSiC |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) | SiCFET (Cascode SiCJFET) | SiCFET (Cascode SiCJFET) | SiCFET (Cascode SiCJFET) | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 750 V | 750 V | 750 V | 750 V | 750 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 81A (Tc) | 81A (Tc) | 81A (Tc) | 81A (Tc) | 81A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | - | - | - | - | - |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 23mOhm @ 20A, 12V | 23mOhm @ 20A, 12V | 23mOhm @ 20A, 12V | 23mOhm @ 20A, 12V | 23mOhm @ 20A, 12V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 6V @ 10mA | 6V @ 10mA | 6V @ 10mA | 6V @ 10mA | 6V @ 10mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 37.8 nC @ 15 V | 37.8 nC @ 15 V | 37.8 nC @ 15 V | 37.8 nC @ 15 V | 37.8 nC @ 15 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1422 pF @ 100 V | 1422 pF @ 100 V | 1422 pF @ 100 V | 1422 pF @ 100 V | 1422 pF @ 100 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 385W (Tc) | 385W (Tc) | 385W (Tc) | 385W (Tc) | 385W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
RFQを送信してください。すぐに対応いたします。

STMicroelectronics

Toshiba Semiconductor and Storage

Vishay Siliconix

onsemi
Vishay Siliconix
STMicroelectronics