PN Junction Semiconductor PAA12400BM3

部品番号
PAA12400BM3
メーカー
PN Junction Semiconductor
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
パッケージ
Module
データシート
FudongICPAA12400BM3.pdf
説明
1200V HALF-BRIDGE
品質確認:
★★★★★ 5.0/5 FudongIC QCチームによる確認済み

PAA12400BM3の製品情報は、型番、メーカー、パッケージ、在庫状況、調達要件、出荷可否に基づいて確認されています。

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🔍PAA12400BM3はどのような用途に適していますか?

PAA12400BM3は、トランジスタ - FET、MOSFET - アレイカテゴリに属するPN Junction Semiconductorの製品です。安定した調達、技術パラメータ確認、在庫確認、価格サポート、BOM照合が必要な電子機器プロジェクトに適しています。

通信・ネットワーク機器

通信モジュール、基地局、ネットワーク機器、産業用データ伝送など、安定した部品供給が重要なプロジェクトに適しています。

車載・制御システム

車載電子機器、制御モジュール、センサーシステム、組み込みプロジェクトなど、パラメータと供給確認が必要な用途に適用できます。

産業オートメーション

産業機器、モーター制御、計測機器、自動化システム、電子アセンブリに利用できます。

データセンター・クラウド基盤

サーバー、データセンター、電源、制御基板、信頼性が求められる電子システムをサポートします。

FudongICはPAA12400BM3の調達をサポートし、在庫確認、価格確認、BOM照合、技術選定を支援します。

PAA12400BM3の見積と技術サポートを依頼する

製品概要

PAA12400BM3は、トランジスタ - FET、MOSFET - アレイカテゴリに属するPN Junction Semiconductorの製品です。製品説明: 1200V HALF-BRIDGE。FudongICは、この部品のデータシート確認、在庫確認、価格見積、BOM照合、技術選定をサポートします。

主な特徴

  • 型番: PAA12400BM3
  • メーカー: PN Junction Semiconductor
  • カテゴリ: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
  • パッケージ: Module
  • データシート確認、在庫確認、価格見積をサポート
  • サンプル調達、小ロット試作、大量購入に適しています

用途分野

PAA12400BM3は、通信システム、産業オートメーション、車載電子機器、データセンター、組み込みシステム、電源および制御技術などの電子プロジェクトに使用できます。

調達と技術サポート

PAA12400BM3の現在在庫、数量別価格、納期、代替品、技術資料をお探しの場合は、FudongICへお問い合わせください。用途、パラメータ要件、パッケージ要件、購入数量に基づいて適切な調達提案を提供します。

関連製品

Product details

PAA12400BM3 - よくある質問

PAA12400BM3は現在在庫がありますか?

PAA12400BM3はFudongICに現在の在庫情報とともに掲載されています。表示在庫は3047です。電子部品の在庫は頻繁に変動するため、リアルタイムの在庫、価格、納期確認にはRFQを送信してください。

PAA12400BM3の最小注文数量は何ですか?

PAA12400BM3の最小注文数量は1個です。FudongICはサンプル、小ロット注文、大量調達に対応します。

PAA12400BM3は正規品ですか?

FudongICは正規で信頼できる電子部品の供給に注力しています。PN Junction SemiconductorのPAA12400BM3は信頼できる供給ルートを通じて調達されます。必要に応じて品質確認、梱包確認、出荷確認もサポートできます。

PAA12400BM3の通常納期はどのくらいですか?

納期は在庫場所、注文数量、配送先によって異なります。在庫がある場合、DHL、FedEx、UPSなどの国際エクスプレスで迅速に出荷できます。

PAA12400BM3の代替品や互換品はありますか?

用途要件に応じて、FudongICはPAA12400BM3の代替品または互換品の確認をサポートできます。仕様、目標数量、用途情報をお送りください。

画像 PAA12400BM3
部品番号 PAA12400BM3
メーカー PN Junction Semiconductor
Packaging Tray
Series -
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 350A
RdsOn(Max)@IdVgs 7.3mOhm @ 300A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 100mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 29.5pF @ 1000V
Power-Max -
OperatingTemperature -40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Chassis Mount

PAA12400BM3 関連情報

以下の部品が含まれています "PAA12400BM3" ISSI、インテグレーテッド・シリコン・ソリューション・インク内 PAA12400BM3.

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BSM300D12P2E001

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2N7002DW-TP

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