Powerex Inc. QJD1210011

部品番号
QJD1210011
メーカー
Powerex Inc.
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
パッケージ
Module
データシート
FudongICQJD1210011.pdf
説明
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
品質確認:
★★★★★ 5.0/5 FudongIC QCチームによる確認済み

QJD1210011の製品情報は、型番、メーカー、パッケージ、在庫状況、調達要件、出荷可否に基づいて確認されています。

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🔍QJD1210011はどのような用途に適していますか?

QJD1210011は、トランジスタ - FET、MOSFET - アレイカテゴリに属するPowerex Inc.の製品です。安定した調達、技術パラメータ確認、在庫確認、価格サポート、BOM照合が必要な電子機器プロジェクトに適しています。

通信・ネットワーク機器

通信モジュール、基地局、ネットワーク機器、産業用データ伝送など、安定した部品供給が重要なプロジェクトに適しています。

車載・制御システム

車載電子機器、制御モジュール、センサーシステム、組み込みプロジェクトなど、パラメータと供給確認が必要な用途に適用できます。

産業オートメーション

産業機器、モーター制御、計測機器、自動化システム、電子アセンブリに利用できます。

データセンター・クラウド基盤

サーバー、データセンター、電源、制御基板、信頼性が求められる電子システムをサポートします。

FudongICはQJD1210011の調達をサポートし、在庫確認、価格確認、BOM照合、技術選定を支援します。

QJD1210011の見積と技術サポートを依頼する

製品概要

QJD1210011は、トランジスタ - FET、MOSFET - アレイカテゴリに属するPowerex Inc.の製品です。製品説明: MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC。FudongICは、この部品のデータシート確認、在庫確認、価格見積、BOM照合、技術選定をサポートします。

主な特徴

  • 型番: QJD1210011
  • メーカー: Powerex Inc.
  • カテゴリ: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
  • パッケージ: Module
  • データシート確認、在庫確認、価格見積をサポート
  • サンプル調達、小ロット試作、大量購入に適しています

用途分野

QJD1210011は、通信システム、産業オートメーション、車載電子機器、データセンター、組み込みシステム、電源および制御技術などの電子プロジェクトに使用できます。

調達と技術サポート

QJD1210011の現在在庫、数量別価格、納期、代替品、技術資料をお探しの場合は、FudongICへお問い合わせください。用途、パラメータ要件、パッケージ要件、購入数量に基づいて適切な調達提案を提供します。

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Product details

QJD1210011 - よくある質問

QJD1210011は現在在庫がありますか?

QJD1210011はFudongICに現在の在庫情報とともに掲載されています。表示在庫は2899です。電子部品の在庫は頻繁に変動するため、リアルタイムの在庫、価格、納期確認にはRFQを送信してください。

QJD1210011の最小注文数量は何ですか?

QJD1210011の最小注文数量は1個です。FudongICはサンプル、小ロット注文、大量調達に対応します。

QJD1210011は正規品ですか?

FudongICは正規で信頼できる電子部品の供給に注力しています。Powerex Inc.のQJD1210011は信頼できる供給ルートを通じて調達されます。必要に応じて品質確認、梱包確認、出荷確認もサポートできます。

QJD1210011の通常納期はどのくらいですか?

納期は在庫場所、注文数量、配送先によって異なります。在庫がある場合、DHL、FedEx、UPSなどの国際エクスプレスで迅速に出荷できます。

QJD1210011の代替品や互換品はありますか?

用途要件に応じて、FudongICはQJD1210011の代替品または互換品の確認をサポートできます。仕様、目標数量、用途情報をお送りください。

画像 QJD1210010 QJD1210011 QJD1210SA1 QJD1210SA2
部品番号 QJD1210010 QJD1210011 QJD1210SA1 QJD1210SA2
メーカー Powerex Inc. Powerex Inc. Powerex Inc. Powerex Inc.
Packaging Bulk Bulk Bulk Bulk
Series - - - -
ProductStatus Active Active Active Active
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Silicon Carbide (SiC) Silicon Carbide (SiC) Silicon Carbide (SiC) Silicon Carbide (SiC)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200V (1.2kV) 1200V (1.2kV) 1200V (1.2kV) 1200V (1.2kV)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 25mOhm @ 100A, 20V 25mOhm @ 100A, 20V 25mOhm @ 100A, 20V 25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 10mA 5V @ 10mA 5V @ 10mA 5V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 500nC @ 20V 500nC @ 20V 500nC @ 20V 500nC @ 20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 10200pF @ 800V 10200pF @ 800V 10200pF @ 800V 10200pF @ 800V
Power-Max 900W 900W 900W 900W
OperatingTemperature -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

QJD1210011 関連情報

以下の部品が含まれています "QJD1210011" ISSI、インテグレーテッド・シリコン・ソリューション・インク内 QJD1210011.

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BSM300D12P2E001

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2N7002DW-TP

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SSM6N37FU,LF

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